亞洲矽谷

創新技術服務-半導體元件性能提升商業化計畫

計畫主持人:張鼎張

計畫摘要

半導體元件經過磊晶、蝕刻、離子佈植等製程步驟,會產生各種形態的材料缺陷,缺陷會影響半導體元件的性能與可靠度的表現。傳統方式是採用熱退火的方式來改善,而在半導體元件金屬導線製程後,溫度必須低於400攝氏度,所以退火效果並不是非常理想。本團隊主要開發出一套在低溫下(<300攝氏度)消除材料缺陷的新技術,並與台灣晶圓廠商密切合作,對於矽、氮化鎵、碳化矽等不同材料基底的元件都有明顯的改善效果。例如:應用於場效電晶體(FET)元件,可以有效提升導通電流及降低次臨界擺幅;應用於發光二極體(LED)元件則能夠提升發光效率及降低起始電壓。

本團隊與技術主要優勢為:(1)原創新穎技術(2)製程溫度低(<300) (3)匹配現有半導體製程技術 (4)專利佈局完整

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團隊介紹

創業願景:成為全球頂尖的半導體元件與材料性能提升的專業技術服務公司。

團隊理念:追求卓越(EXCELLENCE – in all that we do)、互惠共贏(WIN – with our customers)。

團隊核心成員:中山大學張鼎張教授為本技術的主要發明人,其主要專長為奈米元件物理,半導體元件製程,長期與國內晶圓廠、光電顯示器公司產學合作,張教授實驗室能提供深入的元件分析與對策建議,幫助企業攻克技術瓶頸,所以跟國內諸多廠商保持良好的互動合作關係;團隊中的博士後研究員,從碩士時期就開始從事缺陷改善技術的研究,積累了8年的經驗,也是該技術主要的參與者;團隊CEO則有豐富的業界工作經驗,並熟悉B2B的業務開發,曾參與新公司的創立與新BU的開展經驗。

團隊成員優勢:(1)國內晶圓廠(潛在客戶)良好的合作關係 (2)職掌分工明確,核心成員經驗豐富。

計畫目標
市場壁壘

技術新穎性:製程方式與設備為最新穎的半導體製程技術,可直接提升半導體元件性能與可靠度,市面上無相似的商用設備,因此可查閱文獻不多,非一般已熟知技術,本實驗室團隊已累積10年以上相關技術經驗。

專利佈局完整:目前已獲得專利共10項,申請中8項。覆蓋範圍包含製程設備、關鍵零組件、半導體元件的製程方法。

強力夥伴:與國內多家晶圓廠商進行合作,可取得樣品進行參數與設備的優化。

預期市場規模

我們瞄準的目標市場:功率元件(GaN、SiC),利基型發光元件(mini-LED、micro-LED、UVC-LED)、通訊元件、<7nm技術節點邏輯晶圓;而根據國際半導體產業協會(SEMI)發佈的「功率暨化合物半導體圓廠展望」預測,從2017至2022年,全球將興建16座功率暨化合物半導體晶圓廠,整體產能將成長23% 。TrendForce LED 研究(LEDinside)報告,預估至 2022 年 Micro LED & Mini LED 應用將占整體 LED 晶圓片使用數量的 11%。根據這些市場成長預估資料,我們核算未來5年總潛在市場預估有200台的設備需求。